不揮発性半導体記憶装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明 , 吉田安子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-084337
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195270
出願日： 2016年04月20日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：

【課題】容量素子の耐圧特性を向上しつつ、容量特性を安定化させることができ、また小型化を図り得る不揮発性半導体記憶装置を提案する。【解決手段】本発明による不揮発性半導体記憶装置1では、容量素子C1,C2の容量側壁絶縁膜21を、耐圧に着目して膜質や膜厚が調整された、メモリセル2の側壁スペーサ13a,13bと同一層としたことで、容量素子C1,C2の耐圧特性を向上させつつ、容量特性を安定化させることができる。また、この不揮発性半導体記憶装置1では、従来のような、容量素子に印加される電圧を低電圧に抑えるための電源も不要となるので、その分、構成も簡素化し得、小型化を図り得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたメモリセルと、前記半導体基板に形成された絶縁層上に設けられたチャージポンプ回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルは、下部メモリゲート絶縁膜、電荷蓄積層、上部メモリゲート絶縁膜、およびメモリゲート電極が積層されたメモリゲート構造体と、前記メモリゲート構造体の一方の側面に沿って設けられ、絶縁材料でなる一の側壁スペーサと、前記メモリゲート構造体の他方の側面に沿って設けられ、前記絶縁材料でなる他の側壁スペーサと、第1選択ゲート絶縁膜上に第1選択ゲート電極が設けられ、前記一の側壁スペーサに沿って形成された第1選択ゲート構造体と、第2選択ゲート絶縁膜上に第2選択ゲート電極が設けられ、前記他の側壁スペーサに沿って形成された第2選択ゲート構造体と、前記第1選択ゲート構造体と隣接した前記半導体基板表面に前記第1選択ゲート電極と絶縁するように設けられ、ビット線が電気的に接続されたドレイン領域と、前記第2選択ゲート構造体と隣接した前記半導体基板表面に前記第2選択ゲート電極と絶縁するように設けられ、ソース線が電気的に接続されたソース領域とを備え、前記チャージポンプ回路は、複数の容量素子が設けられており、各前記容量素子には、容量電極と容量側壁電極との間に、前記一の側壁スペーサおよび前記他の側壁スペーサと同一層でなる容量側壁絶縁膜が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 21/336 , H01L 29/792 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/04 C

Fターム (53件)：

5F038AC04 , 5F038AC05 , 5F038AC07 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038BG03 , 5F038BG05 , 5F038BG08 , 5F038CA02 , 5F038DF05 , 5F038EZ13 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP25 , 5F083EP26 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP35 , 5F083EP47 , 5F083EP48 , 5F083ER03 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083JA02 , 5F083JA12 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR09 , 5F083PR12 , 5F083PR47 , 5F083PR48 , 5F083ZA12 , 5F101BA45 , 5F101BB04 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD20 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BG10

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-110476 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-130761 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-103325 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社

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