特許
J-GLOBAL ID：201703017888417034

半導体メモリ

発明者：
宮崎 聡司

宮崎 聡司 について

, 
福山 弘幸

福山 弘幸 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (2件)： 藤村 元彦 ,  高野 信司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-009401
公開番号（公開出願番号）：特開2016-136391
特許番号：特許第6110965号
出願日： 2016年01月21日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 特定番地にデータの外部出力を許可するか否かを示す出力可否フラグが格納されており、外部から入力された番地を示すアドレス信号に応じて前記番地に格納されているデータを読み出すメモリ部と、 前記メモリ部から読み出された前記データの外部出力を許可する許可状態及び前記データの外部出力を禁止する禁止状態のうちの一方の状態に設定され、前記許可状態に設定されている場合に前記データを外部出力する出力部と、を有し、 前記出力部は、前記アドレス信号によって示される番地が前記特定番地であると判定されてからクロック周期のN(Nは2以上の整数)倍の期間後に特定番地確定信号を生成する特定番地判定部を含み、前記メモリ部から読み出された前記出力可否フラグが前記外部出力の許可を示し、且つ前記特定番地確定信号が生成された場合に、前記許可状態に設定されることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (3件)：
G06F 12/14 ( 200 6.01) ,  G06F 21/79 ( 201 3.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G06F 12/14 510 A ,  G06F 21/79 ,  G11C 17/00 601 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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