特許

J-GLOBAL ID：201703018191270074

半導体装置および測定装置

発明者： 岩崎 孝之 ,  波多野 睦子
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  森 俊秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-044454
公開番号（公開出願番号）：特開2017-162910
出願日： 2016年03月08日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：

【課題】 内部の物理パラメータを測定することができる半導体装置および測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の半導体層と、少なくとも1つの半導体層内に配置され、配置された半導体層内の特徴量に応じた信号を出力するセンサ部とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体層と、 少なくとも1つの半導体層内に配置され、配置された半導体層内の特徴量に応じた信号を出力するセンサ部と を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 C ,  H01L21/66 L

Fターム (8件)：

4M106AA07 ,  4M106CA20 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC03 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置、半導体モジュール、および電子回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-007506   出願人：株式会社東芝