特許
J-GLOBAL ID：201703018216433488

蓄電装置の作製方法

発明者：
栗城 和貴

栗城 和貴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-248676
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069220
出願日： 2016年12月22日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：
【課題】コバルト酸リチウムが分解されて分解生成物が生成されることを抑制すること、コバルト酸リチウム中の酸素が集電体と反応することを抑制すること、充放電容量が大きい蓄電装置を得る。【解決手段】コバルト酸リチウムを含むターゲットと、Arを含むスパッタガスを用いたスパッタリング法により、正極集電体上にコバルト酸リチウム層を形成する際に、コバルト酸リチウムの結晶をc軸配向させつつ、かつ酸化コバルトが生成されない温度で、当該正極集電体を加熱する蓄電装置の作製に関する。また当該正極集電体の加熱温度は、400°C以上600°C未満である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コバルト酸リチウムをターゲットとし、 Arをスパッタガスとして用い、 スパッタリング法により正極集電体上にコバルト酸リチウム層を形成する際に、コバルト酸リチウムの結晶をc軸配向させつつ、かつ酸化コバルトが生成されない温度で、前記正極集電体を加熱し、 前記正極集電体の加熱温度は、400°C以上600°C未満であることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01M 4/139 ,  H01M 4/66 ,  H01M 4/525
FI (3件)：
H01M4/139 ,  H01M4/66 A ,  H01M4/525
Fターム (18件)：
5H017AA03 ,  5H017AS01 ,  5H017AS10 ,  5H017BB01 ,  5H017CC01 ,  5H017EE04 ,  5H017EE05 ,  5H017HH08 ,  5H050AA02 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050DA02 ,  5H050DA04 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050GA29 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14
引用特許：
審査官引用 (3件)

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