特許
J-GLOBAL ID：201703018330987019

半導体製造装置及びその異常検出方法並びに半導体装置の製造方法

発明者：
小原 直城

小原 直城 について

, 
中尾 嘉幸

中尾 嘉幸 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-083636
公開番号（公開出願番号）：特開2014-205880
特許番号：特許第6079396号
出願日： 2013年04月12日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 スパッタリング用直流電源からスパッタリング電極に供給されるスパッタリング電流又はスパッタリング電圧を順次測定する測定部と、 前記スパッタリング電流を前記スパッタリング電流の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電流変化量で除算した値である第1の値、前記スパッタリング電圧を前記スパッタリング電圧の単位時間当たりの変化量であるスパッタリング電圧変化量で除算した値である第2の値、又は、前記第1の値と前記第2の値との和に基づく第3の値が、異常値を示したことに基づいて、スパッタリングの際に異常事象が生じたことを検出する処理部と を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)
FI (2件)：
C23C 14/34 U ,  H01L 21/285 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

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