ポリイミド製無接着剤型フレキシブルプリント基板の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)： ▲吉▼川俊雄 , 市川寛奈
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-501411
公開番号（公開出願番号）：特表2017-534747
出願日： 2016年07月14日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：

【課題】本発明は、ポリイミド製無接着剤型フレキシブルプリント基板の作製方法を開示している。【解決手段】本発明のポリイミド製無接着剤型フレキシブルプリント基板の作製方法は、1)ポリイミドフィルムを低真空環境内に置き、有機アミンの容量結合放電により生成されるプラズマを使用して処理する工程と;2)工程1)で得られたポリイミドフィルムを低真空環境内に置き、金属塩溶液にバブリングした窒素ガスの容量結合放電により生成されるプラズマを使用して前処理する工程と;3)真空スパッタリングメッキまたは無電解メッキを採用して、工程2)で得られたポリイミドフィルムを予備メッキ処理し、厚さが100ナノメートルより薄い緻密な銅膜を得る工程と;4)電気メッキ法により銅膜を必要な厚さまで厚くする工程と;を含む。本発明の方法は、接着剤を必要としないだけでなく、工程を簡略化し、労働力を減少させ、コストを低下させることができる。さらに環境汚染を減少させることができ、超薄の無接着剤型フレキシブルプリント基板の製造に用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ポリイミド製無接着剤型フレキシブルプリント基板の作製方法であって、 1)ポリイミドフィルムを低真空環境内に置き、有機アミンの容量結合放電により生成されるプラズマを使用して処理する工程と; 2)工程1)で得られたポリイミドフィルムを低真空環境内に置き、金属塩溶液にバブリングした窒素ガスの容量結合放電により生成されるプラズマを使用して前処理する工程と; 3)真空スパッタリングメッキまたは無電解メッキを採用して、工程2)で得られたポリイミドフィルムを予備メッキ処理し、厚さが100ナノメートルより薄い緻密な銅膜を得る工程と; 4)電気メッキ法により銅膜を必要な厚さまで厚くする工程と;を含む方法。

IPC (8件)：

C25D 5/56 , C23C 18/20 , C23C 18/34 , C25D 7/00 , C23C 18/30 , C23C 14/14 , H05K 3/18 , H05K 3/38

FI (11件)：

C25D5/56 B , C23C18/20 A , C23C18/34 , C25D5/56 A , C25D5/56 Z , C25D7/00 G , C23C18/30 , C23C14/14 D , H05K3/18 A , H05K3/18 G , H05K3/38 A

Fターム (37件)：

4K022AA15 , 4K022AA32 , 4K022AA42 , 4K022BA08 , 4K022CA07 , 4K022CA12 , 4K022CA19 , 4K022DA01 , 4K024AA09 , 4K024AB02 , 4K024AB15 , 4K024AB17 , 4K024BA14 , 4K024BB11 , 4K024BC02 , 4K024DA10 , 4K024GA01 , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA08 , 4K029CA05 , 4K029EA01 , 4K029FA05 , 4K029GA00 , 5E343AA03 , 5E343AA18 , 5E343AA33 , 5E343AA38 , 5E343AA39 , 5E343BB16 , 5E343BB24 , 5E343BB67 , 5E343DD25 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343EE36 , 5E343GG02

引用特許：

審査官引用 (4件)

金属層の析出方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-512856 出願人：アトーテヒドイッチュラントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
特開昭63-111180
樹脂表面の改質方法および無電解メッキ形成方法および前記方法を用いて製造された小型電子回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-240189 出願人：三菱電機株式会社

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