特許
J-GLOBAL ID：201703018660868210
薄膜デバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-115997
公開番号（公開出願番号）：特開2016-178335
特許番号：特許第6179912号
出願日： 2016年06月10日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表裏関係にある第1の面及び第2の面を有する酸化物半導体膜と、
前記第1の面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記第2の面に形成されたソース・ドレイン電極と、
前記第2の面における前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極とが重ならない部分に形成され、前記酸化物半導体膜の構成元素とフッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層と、
前記表面層上のチャネル保護絶縁膜と、
を有し、
前記酸化物半導体膜と前記ソース・ドレイン電極との界面に、
前記酸化物半導体膜の構成元素と、前記ソース・ドレイン電極の前記酸化物半導体膜に接する部分の構成元素と、フッ素及び塩素の少なくとも一方との混合物からなる混合層が存在し、
前記混合層の構成元素の原子数が前記ソース・ドレイン電極側から前記酸化物半導体膜側に向けて変化している、
ことを特徴とする薄膜デバイス。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 616 V
, H01L 29/78 618 B
