特許
J-GLOBAL ID：201003020314297730

半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明者：
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

, 
廣橋 拓也

廣橋 拓也 について

, 
岸田 英幸

岸田 英幸 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-046034
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232647
出願日： 2010年03月03日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上にバッファ層と、前記バッファ層上にソース電極層及びドレイン電極層を有し、 前記バッファ層において前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と接する第1の領域は前記酸化物半導体層の前記チャネル形成領域と接する第2の領域より電気伝導度が高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618G
Fターム (51件)：
5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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