特許
J-GLOBAL ID：201703018932139981

プラズマ処理装置

発明者：
一野 貴雅

一野 貴雅 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018690
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150186
特許番号：特許第6165452号
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 内部が減圧排気される処理室と、前記処理室に設けられ凸部形状を有した基材の当該凸部上面に被処理基板が載置される試料載置電極と、前記処理室内にプラズマを発生させるための電磁波発生装置と、前記処理室内に処理ガスを供給する供給系と前記処理室内を排気する為の真空排気系とを有するプラズマ処理装置において、 前記基材は、前記凸部を構成する上部の基材層とその下方でブレージングもしくは金属含有接着剤を介して接合され冷媒溝を有する下部の基材層とを有し、 前記凸部上面の直径は前記被処理基板の直径未満であり、 ヒータ層は前記凸部上部に配置され、 前記上部の基材層の前記凸部下方の当該凸部外周側の部分の内部であって、当該凸部外周側の部分の下方の前記下部の基材層内の前記冷媒溝の上方に真空断熱層が配置されて、前記冷媒溝の垂直方向の投影面は、前記真空断熱層の垂直方向の投影面と重なることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/302 101 G ,  H01L 21/302 101 C ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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