特許
J-GLOBAL ID：201703018984640808
ナノインプリントリソグラフィ用モールドパターンの設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-088191
公開番号（公開出願番号）：特開2017-199755
出願日： 2016年04月26日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：
【課題】複雑な密度分布のデバイスパターンに対して、パターン容積の均一化を低コストで実現する。【解決手段】本発明のナノインプリントリソグラフィ用モールドパターン設計方法では、元パターンのパターン密度(Aij)が0<Aij<1の要素セル(Cij)に対し、パターン密度(Aij)の最大値(Amax)と最小値(Amin)に基づいて、元パターン(Pij)におけるパターン容積を均一化する補助パターン(Qij)の加工深さ(dB)を算出する。そして、この補助パターン(Qij)が加工可能範囲内にあるとき、当該セル内に補正用重畳パターン(Wij)を設定し、ブーリアン処理により、当該セルの全領域においてパターン容積が均一化されるまで、補正用重畳パターンのサイズを拡大ないし縮小する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
モールド表面を複数の要素セル(Cij)に分割し、各要素セル(Cij)のそれぞれについて、元パターン(Pij)のパターン密度(Aij)を算出し、このパターン密度(Aij)の最大値(Amax)と最小値(Amin)を検出する第1の工程、
前記パターン密度(Aij)が0<Aij<1の要素セル(Cij)に対し、パターン密度(Aij)の最大値(Amax)と最小値(Amin)に基づいて、前記元パターン(Pij)におけるパターン容積を均一化する補助パターン(Qij)の加工深さ(dB)を算出する第2の工程、
前記補助パターンの加工深さ(dB)が加工可能範囲外にあるとき、前記第1の工程における要素セルを再分割し、前記補助パターンの加工深さ(dB)が加工可能な範囲内になるまで、再分割を繰り返す第3の工程、
前記補助パターンが加工可能範囲内にあるとき、当該セル内に補正用重畳パターン(Wij)の初期値を設定し、ブーリアン処理により、当該補正用重畳パターン(Wij)内で設定される前記補助パターンの加工深さ(dB)に基づいて、当該セルのパターン容積が均一化するか否かを判断する第4の工程、
前記パターン容積が均一化されないとき、前記補正用重畳パターン(Wij)のサイズを拡大ないし縮小し、前記パターン容積が均一化されるまで前記第4の工程を繰り返す第5の工程、
前記第5の工程により前記パターン容積が均一化されたとき、前記補正用重畳パターン(Wij)および前記補助パターン(Qij)を決定する第6の工程からなるナノインプリントリソグラフィ用モールドパターン設計方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ06
, 4F209AP20
, 4F209AR12
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F146AA32
