特許

J-GLOBAL ID：201703018984640808

ナノインプリントリソグラフィ用モールドパターンの設計方法

発明者： 尹 成圓 ,  鈴木 健太 ,  廣島 洋
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-088191
公開番号（公開出願番号）：特開2017-199755
出願日： 2016年04月26日
公開日（公表日）： 2017年11月02日
要約：

【課題】複雑な密度分布のデバイスパターンに対して、パターン容積の均一化を低コストで実現する。【解決手段】本発明のナノインプリントリソグラフィ用モールドパターン設計方法では、元パターンのパターン密度(Aij)が0 請求項（抜粋）：

モールド表面を複数の要素セル(Cij)に分割し、各要素セル(Cij)のそれぞれについて、元パターン(Pij)のパターン密度(Aij)を算出し、このパターン密度(Aij)の最大値(Amax)と最小値(Amin)を検出する第1の工程、 前記パターン密度(Aij)が0 IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z

Fターム (14件)：

4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ06 ,  4F209AP20 ,  4F209AR12 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA32

引用特許：

出願人引用 (3件)

• インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-242734   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• インプリント・リソグラフィ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-114638   出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ, コニンクリユケフィリップスエレクトロニクスエヌ.ブイ.
• インプリントリソグラフィ用モールド製作方法及びモールド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-286145   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所