特許
J-GLOBAL ID：201703019040027212

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
日向 裕一朗

日向 裕一朗 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055628
公開番号（公開出願番号）：特開2017-174837
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：
【課題】半導体素子を導電パターン付きの絶縁基板等に搭載して樹脂封止した半導体装置において、樹脂が導電パターンに十分に固定されていない場合には、導電パターンと樹脂の界面で剥離が生じ、半導体装置の信頼性が低下するおそれがある。【解決手段】絶縁板と、絶縁板の第1面上に設けられた第1導電部と、第1導電部上に搭載される半導体素子と、絶縁板の第1面側における第1導電部および半導体素子を封止するモールド材料とを備え、絶縁板の材料は、第1導電部の材料よりもモールド材料との密着性が高く、第1導電部は、一部において絶縁板との間にモールド材料が充填された間隙を有する半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁板と、 前記絶縁板の第1面上に設けられた第1導電部と、 前記第1導電部上に搭載される半導体素子と、 前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子を封止するモールド材料と を備え、 前記絶縁板の材料は、前記第1導電部の材料よりも前記モールド材料との密着性が高く、 前記第1導電部は、一部において前記絶縁板との間に前記モールド材料が充填された間隙を有する 半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28
FI (3件)：
H01L23/12 Q ,  H01L25/04 C ,  H01L23/28 A
Fターム (5件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109DB16 ,  4M109FA04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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