特許
J-GLOBAL ID：201503017131082714
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-157730
公開番号（公開出願番号）：特開2015-028998
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：
【課題】半導体装置における封止用樹脂の剥離を抑制する。【解決手段】隣接する金属層3及び金属層4は、方形状の金属材で形成され、金属層4の大きさは金属層3より大となるように形成されている。金属層3及び金属層4の中心を合わせて積層した時、金属層4の周囲の端面位置11が金属層3の周囲の端面位置12より金属層4の平面方向に均等にずれて突出する係合部13及び空間14が形成される。半導体装置1を構成するセラミック層2、金属層3、金属層4及び半導体素子5と、電極9及び電極10の一部を封止する樹脂15は、係合部13の空間14を充填する。このため、金属層3及び金属層4から樹脂15を剥離する力は、樹脂15が係合部13に引っ掛かることにより、係合部13によって受止められるので、樹脂15は金属層3及び金属層4から剥離することを抑制される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁機能を有するセラミック層に複数の金属層を積層し、最上層の金属層に半導体素子を接合し、前記セラミック層、前記金属層及び前記半導体素子を樹脂により封止した半導体装置において、
少なくとも隣接する2層の金属層の内、上層側の金属層の一部に下層側の金属層に対して前記金属層の平面方向に突出する係合部を形成することにより、前記係合部の下層側に空間を形成し、前記係合部の下層側の空間に封止用の前記樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 23/12
, H01L 23/34
H01L23/28 B
, H01L23/12 Q
, H01L23/12 D
, H01L23/34 B
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109CA22
, 4M109DB02
, 4M109DB16
, 4M109EE01
, 4M109GA05
, 5F136BA30
, 5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136DA27
