特許
J-GLOBAL ID：201703019051613644
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人平和国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-285021
公開番号（公開出願番号）：特開2014-127649
特許番号：特許第6212861号
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 再配線を有する基板と、前記再配線上にポリベンゾオキサゾールを含む絶縁層とを含む半導体装置であって、前記再配線の表面に酸化銅層を含み、オージェ分光法により求めた前記酸化銅層の平均厚さが3〜35nmであり、
前記絶縁層が、下記式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体を含む樹脂組成物を加熱硬化して得られたものである半導体装置。
(式中、Uは4価の有機基を示し、Vは2つ以上の芳香族環を含む炭素数6〜40の2価の芳香族基又は炭素数6〜30の脂肪族直鎖構造を有する2価の有機基を示す。)
IPC (5件)：
H01L 23/522 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/312 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
H01L 21/88 T
, H01L 21/312 A
, H01L 21/90 S
, H01L 21/88 M
