特許
J-GLOBAL ID：201703019062951398

磁気抵抗素子とその製造方法、および磁気記憶装置

発明者：
射場 義久

射場 義久 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-020849
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154604
特許番号：特許第6155673号
出願日： 2013年02月05日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、 前記基板上に形成され、磁化容易軸が前記基板の基板面と垂直な方向に反転可能な第1の強磁性層と、トンネルバリア層と、磁化容易軸が前記基板面と垂直な方向に固定される第2の強磁性層がこの順で積層された磁気トンネル接合部と、 前記第1の強磁性層の下に配置され、前記第1の強磁性層よりも低いヤング率を有し、かつ引っ張り応力を有する非磁性層と、 前記非磁性層および前記磁気トンネル接合部を覆って、前記基板に平行な方向に延伸する表面を含む前記第1の強磁性層および前記非磁性層に圧縮応力を与える保護膜と、 を有し、 前記保護膜の膜厚は、当該保護膜の形成面から前記第1の強磁性層までの高さ以上であり、前記磁気トンネル接合部を含む磁気トンネル接合素子の高さ以下であることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 43/08 H ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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