特許
J-GLOBAL ID：201003075238144953

不揮発性磁気メモリ装置

発明者：
庄子 光治

庄子 光治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 山本 孝久 ,  吉井 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-005876
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165790
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：
【課題】垂直磁化型の記録層における磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせ得る構成、構造を有する不揮発性磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、(A)磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層53を有する積層構造体50、(B)積層構造体50の下部に電気的に接続された第1の配線41、並びに、(C)積層構造体50の上部に電気的に接続された第2の配線42から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体50の側面に近接して、記録層53を構成する材料のヤング率よりも高い値のヤング率を有する高ヤング率領域171が配置されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層を有する積層構造体、 (B)積層構造体の下部に電気的に接続された第1の配線、並びに、 (C)積層構造体の上部に電気的に接続された第2の配線、 から成る磁気抵抗効果素子を備えており、 積層構造体の側面に近接して、記録層を構成する材料のヤング率よりも高い値のヤング率を有する高ヤング率領域が配置されている不揮発性磁気メモリ装置。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (47件)：
4M119AA20 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ04 ,  4M119JJ13 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA02 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42 ,  5F092BC46 ,  5F092CA02 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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