ピエゾ抵抗素子及び半導体センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-002770
公開番号（公開出願番号）：特開2014-135391
特許番号：特許第6155648号
出願日： 2013年01月10日
公開日（公表日）： 2014年07月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の不純物を含む第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板に埋め込まれた、第2の不純物を含む第2導電型のピエゾ抵抗層と、前記半導体基板の表面と前記ピエゾ抵抗層との間に形成された、第3の不純物を含む前記第1導電型のバリア層と、を備え、前記第2の不純物の濃度が前記第1の不純物の濃度以上となる領域を前記ピエゾ抵抗層と定義し、前記第3の不純物の濃度が前記第1の不純物の濃度以上となる領域を前記バリア層と定義した場合に、前記ピエゾ抵抗層と前記バリア層とは、前記半導体基板の厚さ方向に所定の層幅の重なりを有し、前記第3の不純物の濃度の最大値は、前記第2の不純物の濃度の最大値よりも大きいピエゾ抵抗素子。

IPC (1件)：