特許

J-GLOBAL ID：201703019772429658

膜面垂直通電型巨大磁気抵抗素子及び磁気デバイス

発明者： 窪田 崇秀 ,  成澤 寛行 ,  高梨 弘毅
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 特許業務法人 英知国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-120250
公開番号（公開出願番号）：特開2017-004585
出願日： 2015年06月15日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：

【課題】非磁性中間層の改良による高出力の膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子及び磁気デバイスを提供する。【解決手段】強磁性体層13,15としてホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層14(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])を有する。磁気デバイスは、この膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、 前記ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、 前記非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])からなることを特徴とする 膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16

FI (6件)：

G11B5/39 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/30 ,  H01F10/16

Fターム (24件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034BA30 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AC08 ,  5F092AD03 ,  5F092BB10 ,  5F092BB24 ,  5F092BB32 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21