膜面垂直通電型巨大磁気抵抗素子及び磁気デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人英知国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-120250
公開番号（公開出願番号）：特開2017-004585
出願日： 2015年06月15日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：

【課題】非磁性中間層の改良による高出力の膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子及び磁気デバイスを提供する。【解決手段】強磁性体層13,15としてホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層14(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])を有する。磁気デバイスは、この膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子を有する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ホイスラー合金薄膜間、または、鉄コバルト系合金薄膜間に、非磁性中間層(スペーサ層)を配置した構造を有する膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子であって、前記ホイスラー合金薄膜、または、鉄コバルト系合金薄膜が、L21規則構造、体心立方構造、または、B2規則構造を有する強磁性合金からなり、前記非磁性中間層(スペーサ層)が、Ag100-xMgx金属化合物(4≦x<25[at.%])からなることを特徴とする膜面垂直通電型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子。

IPC (5件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01F 10/30 , H01F 10/16

FI (6件)：

G11B5/39 , H01L43/08 M , H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01F10/30 , H01F10/16

Fターム (24件)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA21 , 5D034BA30 , 5D034CA06 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F092AA02 , 5F092AB02 , 5F092AC08 , 5F092AD03 , 5F092BB10 , 5F092BB24 , 5F092BB32 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BE13 , 5F092BE21

引用特許：

出願人引用 (5件)

磁気再生ヘッドおよびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-234337 出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-316799 出願人：株式会社東芝
電流垂直型巨大磁気抵抗(CPP-GMR)素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-182968 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

全件表示

前のページに戻る