不活性ガスから生成される準安定ガスを使用する原子層エッチング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-521657
特許番号：特許第6203716号
出願日： 2012年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体処理チャンバ内で基板上の層をエッチングするための方法であって、前記チャンバは、不活性ガス入口を備えるプラズマ発生領域と、第1のガス入口を備える基板処理領域と、を備え、前記プラズマ発生領域は前記基板処理領域から分離プレート構造によって分離され、前記方法は、前記プラズマ発生領域内の不活性ガスの圧力が前記基板処理領域内のエッチャントガスの圧力よりも大きくなるように前記不活性ガス入口から前記プラズマ発生領域内に不活性ガスを導入しながら、前記第1のガス入口から前記チャンバの前記基板処理領域内に第1のガスを導入するステップであって、前記第1のガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、前記第1のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記基板処理領域内に導入された前記第1のガスを前記基板処理領域内に留めるステップと、前記期間の経過後に、前記不活性ガス入口から前記不活性ガスを更に導入することにより、前記チャンバ内の前記第1のガスの少なくとも80%を前記不活性ガスで置き換えるステップと、前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと、を備える、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/302 101 C , H01L 21/302 105 B , H05H 1/46 L

引用特許：

出願人引用 (11件)

エッチングダメージ防止方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071255 出願人：理化学研究所, 石川島播磨重工業株式会社
表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-036345 出願人：株式会社日立製作所
表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-088888 出願人：株式会社荏原製作所

全件表示

審査官引用 (12件)

エッチングダメージ防止方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-071255 出願人：理化学研究所, 石川島播磨重工業株式会社
表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-036345 出願人：株式会社日立製作所
表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-088888 出願人：株式会社荏原製作所

全件表示

前のページに戻る