電子機器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-183093
公開番号（公開出願番号）：特開2017-059833
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2017年03月23日
要約：

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に金属層11を設け、さらに前記金属層11に接して酸化物層12を設け、さらに被剥離層13を形成し、前記金属層11をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層16を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層12の層内または金属酸化物層16と酸化物層12との界面において、きれいに分離することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フレキシブルなフィルムと、前記フレキシブルなフィルム上の接着材と、前記接着材上の金属酸化物層と、前記金属酸化物層上の酸化物層と前記酸化物層上のトランジスタと、を有する電子機器。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/02 , H01L 51/50 , H05B 33/02 , G02F 1/136 , H01L 27/12

FI (8件)：

H01L29/78 626C , H01L21/02 C , H05B33/14 A , H05B33/02 , H01L29/78 627D , G02F1/1368 , H01L21/02 B , H01L27/12 B

Fターム (82件)：

2H192AA24 , 2H192BC31 , 2H192BC72 , 2H192CB02 , 2H192CB13 , 2H192EA67 , 2H192FB03 , 2H192FB05 , 2H192GD02 , 2H192GD06 , 2H192HA82 , 2H192HA84 , 2H192HA90 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC42 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107DD16 , 3K107DD17 , 3K107EE04 , 3K107GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HJ30 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (1件)

アクティブマトリクス基板及びその製造方法、素子形成基板、中間転写基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-179214 出願人：株式会社東芝

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