特許
J-GLOBAL ID：201703020123857223

固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

発明者：
渡部 泰一郎

渡部 泰一郎 について

, 
古閑 史彦

古閑 史彦 について


出願人/特許権者：
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-220141
公開番号（公開出願番号）：特開2015-082592
特許番号：特許第6138661号
出願日： 2013年10月23日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 受光量に応じた電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、 前記光電変換部により生成された電荷を蓄積する電荷蓄積部と、 前記光電変換部の電荷を前記電荷蓄積部へ転送する第1転送トランジスタと、 前記電荷蓄積部と平面方向に離れた位置に形成され、前記電荷を信号として読み出すために保持する電荷保持部と、 前記電荷蓄積部の電荷を前記電荷保持部へ転送する第2転送トランジスタと を有する画素を備え、 前記第1転送トランジスタのゲート電極は、半導体基板界面から所定の深さまで埋め込まれて形成されており、 前記電荷蓄積部は、前記半導体基板内に埋め込まれている前記第1転送トランジスタのゲート電極の側壁に沿って深さ方向に伸びた縦長形状で、前記第1転送トランジスタの前記光電変換部側とは反対の前記電荷保持部側に形成されている 固体撮像素子。
IPC (6件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 27/14 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H04N 5/369 ( 201 1.01) ,  H04N 5/374 ( 201 1.01)
FI (5件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D ,  H01L 29/58 G ,  H04N 5/335 690 ,  H04N 5/335 740
引用特許：
審査官引用 (5件)
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