特許

J-GLOBAL ID：201703020628863600

高純度銅スパッタリングターゲット材

発明者： 森 曉 ,  菊池 文武 ,  谷 雨 ,  佐藤 雄次
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-031334
公開番号（公開出願番号）：特開2017-150010
出願日： 2016年02月22日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】高電圧を負荷しても異常放電の発生を抑制でき、安定して成膜を行うことができる高純度銅スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】O,H,N,Cを除いたCuの純度が99.99998mass%以上とされ、Alの含有量が0.005massppm以下、Siの含有量が0.05massppm以下、Feの含有量が0.02massppm以下、Sの含有量が0.03massppm以下、Clの含有量が0.1massppm以下、Oの含有量が1massppm以下、Hの含有量が1massppm以下、Nの含有量が1massppm以下、Cの含有量が1massppm以下とされ、昇温脱離ガス分析装置(TDS-MS)により、50°Cから1000°Cまでの間に放出したガス成分を、電子衝撃法でイオン化し、生成したイオンを四重極質量分析計で組成分析して得られたH2Oガス分子数が2×1017個/g以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

O,H,N,Cを除いたCuの純度が99.99998mass%以上とされ、Alの含有量が0.005massppm以下、Siの含有量が0.05massppm以下、Feの含有量が0.02massppm以下,Sの含有量が0.03massppm以下、Clの含有量が0.1massppm以下、Oの含有量が1massppm以下、Hの含有量が1massppm以下、Nの含有量が1massppm以下、Cの含有量が1massppm以下とされており、 昇温脱離ガス分析装置(TDS-MS)により、1×10-7Pa以下の超高真空内で、ターゲット材から採取した試料を加熱し、50°Cから1000°Cまでの間に放出したガス成分を、電子衝撃法でイオン化し、生成したイオンを四重極質量分析計で組成分析して得られたH2Oガス分子数が2×1017個/g以下であることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット材。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00

FI (2件)：

C23C14/34 A ,  C22C9/00

Fターム (5件)：

4K029BA08 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC08 ,  4K029DC22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-216350   出願人：同和鉱業株式会社
• 純銅板の製造方法及び純銅板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-026453   出願人：三菱伸銅株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 特開平2-185990
  
• 特許第3102177号