ゴム基板上での高パフォーマンスエレクトロニクスのための伸縮性単結晶シリコン

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山田行一 , 野田雅一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-230221
公開番号（公開出願番号）：特開2017-103459
出願日： 2016年11月28日
公開日（公表日）： 2017年06月08日
要約：

【課題】伸張、圧縮、屈曲または他の方法で変形された場合に良好なパフォーマンスを提供可能な、伸縮可能かつ場合によって印刷可能な、半導体および電子回路を提供する。【解決手段】上フレームは、シリコンオンインシュレータウエハー上にレジスト層を規定するためのフォトリソグラフィを含み、頂部Siの露出部分を除去するためのエッチングがこれに続く。アセトンで除去したら、次に埋め込みSiO2層を濃フッ酸でエッチングし、下地のSi基板からリボンを分離する。中央フレームでは、平坦なエラストマー基板が弾性的に伸長されてリボンと共形接触される。基板を剥離することにより、ウエハーからリボンを浮かせて基板の前歪みを解放することによって表面が変形して明瞭に規定された波がSiおよび基板表面に形成される。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

支持表面を有するフレキシブル基板と、曲面状内表面を有する半導体構造であって、前記曲面状内表面の少なくとも一部が前記フレキシブル基板の前記支持表面に結合されている半導体構造と、を備える、伸縮性半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 29/812 , H01L 21/338

FI (8件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 626C , H01L29/78 618Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 627D , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/80 B

Fターム (37件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD06 , 5F110DD08 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG22 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110HK04 , 5F110NN71 , 5F110QQ06 , 5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (1件)

ゴム基板上での高パフォーマンスエレクトロニクスのための伸縮性単結晶シリコン
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-165159 出願人：ザボードオブトラスティーズオブザユニヴァーシティーオブイリノイ

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