半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047782
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175517
特許番号：特許第6144510号
出願日： 2013年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板において互いに隣接する第1領域および第2領域を規定し、前記第1領域における前記第2主表面側にベース領域を形成し、前記第2領域における前記第1主表面側にアノード領域を形成する工程と、前記第1領域における前記第2主表面側にエミッタ領域を形成する工程と、前記第1領域において、前記ベース領域にチャネルを形成することにより、前記エミッタ領域と前記半導体基板における第1導電型の領域の部分とを電気的に導通させるゲート電極部を形成する工程と、前記第1領域における前記第2主表面側にコレクタ領域を形成する工程と、前記第1領域を除く態様で前記第2領域に水素(H+)を照射する工程とを備え、前記水素(H+)を照射する工程は、前記半導体基板の部分をドナー化させて結晶欠陥を有するカソード領域を形成する工程を含み、前記第1領域および前記第2領域のそれぞれの前記第2主表面側に、第2導電型の不純物領域を形成する工程を備え、前記コレクタ領域を形成する工程では、前記不純物領域のうち前記第1領域に位置する部分が前記コレクタ領域として形成され、前記水素(H+)を照射する工程では、前記不純物領域のうち前記第2領域に位置する部分に、前記第2導電型を反転させる所定のドーズ量をもって照射することによって前記カソード領域が形成される、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 29/739 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 657 D , H01L 27/06 102 A , H01L 27/088 E , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 D , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-175054 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-252819 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-045634 出願人：トヨタ自動車株式会社

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