ベンゾビスチアジアゾール化合物、並びにこれを含む有機薄膜および有機半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-086571
公開番号（公開出願番号）：特開2017-193521
出願日： 2016年04月22日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：

【課題】電子輸送性および動作安定性に優れた有機半導体材料として利用可能なベンゾビスチアジアゾール化合物を提供する。【解決手段】式(I)で表されるベンゾビスチアジアゾール化合物。(X1及びX2は各々独立にアルキニレン基、チエニレン基又はチアゾリレン基;Ar1及びAr2は各々独立にRで置換されたピリジル基、Rで置換されたN-オキシピリジル基、Rで置換されたピリミジニル基、Rで置換されたピラジル基又はRで置換されたフェニル基;Rは電子求引性置換基;但し、X1及びX2が共にチエニレン基である場合、Ar1及びAr2は各々独立に、Rで置換されたピリジル基、Rで置換されたN-オキシピリジル基、Rで置換されたピリミジニル基又はRで置換されたピラジル基)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(I):

IPC (6件)：

C07D 513/04 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/46 , H01L 51/42

FI (8件)：

C07D513/04 301 , C07D513/04 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L31/04 154B , H01L31/04 154C , H01L31/08 T

Fターム (53件)：

4C072AA01 , 4C072AA07 , 4C072BB02 , 4C072BB06 , 4C072CC04 , 4C072CC17 , 4C072EE12 , 4C072FF13 , 4C072GG01 , 4C072HH06 , 4C072HH07 , 4C072UU10 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110QQ14 , 5F151AA11 , 5F151BA17 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F849AB11 , 5F849BA10 , 5F849FA02 , 5F849FA05 , 5F849XA01 , 5F849XA45 , 5F849XA46

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