窒化アルミニウム結晶の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：須田篤 , 楠修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-173355
公開番号（公開出願番号）：特開2017-160106
出願日： 2016年09月06日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：

【課題】中断されることなく連続的に、かつ比較的早い成長速度で窒化アルミニウム結晶を製造することができる窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液3に、窒素を含むガスを吹き込んでバブリングし、Alを含む蒸気を発生させる。Ga-Al合金融液3の外部に配置したテンプレート基板1に、その蒸気をあてることにより、テンプレート基板1の表面に窒化アルミニウム結晶を成長させる。このとき、テンプレート基板1の表面を、Ga-Al合金融液3の温度より高い温度にしておくことが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液に、窒素を含むガスを吹き込んでAlを含む蒸気を発生させ、前記Ga-Al合金融液の外部に配置したテンプレート基板に、前記蒸気をあてることにより、前記テンプレート基板の表面に窒化アルミニウム結晶を成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 29/62 , C30B 25/14 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 C , C30B29/62 Q , C30B25/14 , H01L21/205

Fターム (46件)：

4G077AA01 , 4G077AA03 , 4G077AA04 , 4G077BE13 , 4G077DB01 , 4G077DB21 , 4G077EA02 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077EG18 , 4G077EG20 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA02 , 4G077TA04 , 4G077TC06 , 4G077TC07 , 4G077TC19 , 4G077TD06 , 4G077TE03 , 4G077TG01 , 4G077TG15 , 4G077TH02 , 4G077TH06 , 4G077TH10 , 4G077TJ03 , 4G077TJ04 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 5F045AA03 , 5F045AB31 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD18 , 5F045AE25 , 5F045AE30 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045BB09 , 5F045CA10 , 5F045DP09 , 5F045DQ08

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-228876 出願人：ソニー株式会社

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