特許
J-GLOBAL ID:201703021379622173
ロジック回路、半導体装置、電子部品、および電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-125666
公開番号(公開出願番号):特開2017-017693
出願日: 2016年06月24日
公開日(公表日): 2017年01月19日
要約:
【課題】ロジック回路の駆動能力を向上する。【解決手段】ロジック回路は、第1出力ノード、ダイナミックロジック回路、ダイオード接続された第1トランジスタ、および容量素子を有する。ダイナミックロジック回路は第2出力ノード、および複数の第2トランジスタを有する。第1トランジスタおよび複数の第2トランジスタの導電型はn型またはp型の何れか一方である。容量素子の一方の端子は第1出力ノードと、他方の端子は第2出力ノードと電気的に接続されている。第1トランジスタの第1端子は第1出力ノードと電気的に接続され、第1トランジスタの第2端子には第1電圧が入力される。第1トランジスタのバックゲートの電圧によって、第1出力ノードの電圧が変化する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ダイナミックロジック回路は、
第1容量素子と、
第1出力ノードと、
を有するロジック回路であって、
前記ダイナミックロジック回路は第2出力ノードを有し、
前記第1容量素子の第1端子は前記第1出力ノードと電気的に接続され、
前記第1容量素子の第2端子は前記第2出力ノードと電気的に接続され、
前記評価回路は複数のトランジスタを有し、
前記複数のトランジスタの導電型はn型またはp型の何れか一方であり、
前記複数のトランジスタはそれぞれバックゲートを有し、
前記バックゲートには、信号が入力されるロジック回路。
IPC (4件):
H03K 19/096
, H03K 17/06
, H01L 29/786
, H03K 19/017
FI (5件):
H03K19/096 C
, H03K17/06 063
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 612B
, H03K19/017
Fターム (117件):
5F110AA06
, 5F110AA07
, 5F110BB02
, 5F110BB03
, 5F110BB06
, 5F110BB10
, 5F110BB11
, 5F110CC07
, 5F110CC10
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD08
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110EE31
, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG06
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG26
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110GG58
, 5F110HJ01
, 5F110HJ02
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ30
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL11
, 5F110HL22
, 5F110HL23
, 5F110HL24
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN28
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN40
, 5F110NN72
, 5F110QQ11
, 5J055AX05
, 5J055BX16
, 5J055CX30
, 5J055DX13
, 5J055DX22
, 5J055EX07
, 5J055EY10
, 5J055EY21
, 5J055EZ19
, 5J055EZ29
, 5J055EZ38
, 5J055EZ53
, 5J055EZ69
, 5J055GX01
, 5J055GX02
, 5J055GX03
, 5J055GX04
, 5J055GX07
, 5J055GX09
, 5J056AA03
, 5J056BB03
, 5J056BB13
, 5J056BB52
, 5J056CC14
, 5J056CC19
, 5J056DD13
, 5J056DD27
, 5J056DD51
, 5J056EE04
, 5J056EE06
, 5J056FF01
, 5J056FF10
, 5J056GG04
, 5J056HH00
, 5J056KK01
, 5J056KK02
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-107679
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
単一しきい値・単一導電型論理回路
公報種別:公表公報
出願番号:特願2008-531840
出願人:エヌエックスピービーヴィ
審査官引用 (2件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-107679
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
単一しきい値・単一導電型論理回路
公報種別:公表公報
出願番号:特願2008-531840
出願人:エヌエックスピービーヴィ
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