研究者
J-GLOBAL ID：201801007256172715   更新日: 2024年04月30日

簔原 誠人

Minohara Makoto
所属機関・部署：
国立研究開発法人産業技術総合研究所 量子・AI融合技術ビジネス開発グローブ研究センター量子ハードウェアシステム研究チーム

国立研究開発法人産業技術総合研究所 量子・AI融合技術ビジネス開発グローブ研究センター量子ハードウェアシステム研究チーム について


職名： チーム長
その他の所属（所属・部署名・職名） (2件)：
研究分野 (1件)： 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (2件)： 放射光分光 ,  酸化物エレクトロニクス
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2024 - 2027 p型酸化物半導体を用いた酸化物トンネル電界効果型トランジスタの開発
  • 2022 - 2025 ワイドギャップp型酸化物半導体におけるキャリア生成と構造の相関
  • 2018 - 2021 ディラック電子系アンチペロブスカイト酸化物薄膜の作製と電子状態評価
  • 2016 - 2020 酸化物量子井戸構造に誘起される新奇な2次元電子液体とその機能
  • 2015 - 2018 界面エンジニアリングによる二酸化チタン薄膜の表面電子状態制御法の確立
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論文 (81件)：
  • Xinyi He, Shigeru Kimura, Takayoshi Katase, Terumasa Tadano, Satoru Matsuishi, Makoto Minohara, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. Inverse-Perovskite Ba3BO (B = Si and Ge) as a High Performance Environmentally Benign Thermoelectric Material with Low Lattice Thermal Conductivity. Advanced Science. 2023. 2307058
  • Makoto Minohara, Yuka Dobashi, Naoto Kikuchi, Seiya Suzuki, Akane Samizo, Takashi Honda, Keishi Nishio, Yoshihiro Aiura. Control of Hole Density in Russellite Bi2WO6 via Intentional Chemical Doping. Inorganic Chemistry. 2023. 62. 23. 8940-8947
  • Akane Samizo, Makoto Minohara, Naoto Kikuchi, Kenta Ando, Yuta Mazuka, Keishi Nishio. Disorders and oxygen vacancies in p-type Sn 2 B 2 O 7 (B = Nb, Ta): Role of the B-site element. Journal of the American Ceramic Society. 2022
  • Akihiro Shiraishi, Shigeru Kimura, Xinyi He, Naoto Watanabe, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Makoto Minohara, Kosuke Matsuzaki, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, et al. Design, Synthesis, and Optoelectronic Properties of the High-Purity Phase in Layered AETMN2 (AE = Sr, Ba; TM = Ti, Zr, Hf) Semiconductors. Inorganic Chemistry. 2022. 61. 17. 6650-6659
  • Xinyi He, Jinshuai Chen, Takayoshi Katase, Makoto Minohara, Keisuke Ide, Hidenori Hiramatsu, Hiroshi Kumigashira, Hideo Hosono, Toshio Kamiya. High-Mobility Metastable Rock-Salt Type (Sn,Ca)Se Thin Film Stabilized by Direct Epitaxial Growth on a YSZ (111) Single-Crystal Substrate. ACS Applied Materials & Interfaces. 2022. 14. 16. 18682-18689
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MISC (26件)：
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特許 (2件)：
経歴 (3件)：
  • 2024/05 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 量子・AI融合技術ビジネス開発グローブ研究センター量子ハードウェアシステム研究チーム チーム長
  • 2023/04 - 現在 高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 客員准教授
  • 2023/04 - 現在 東京理科大学大学院 先進工学研究科 マテリアル創成工学専攻 客員准教授(連携大学院)
所属学会 (3件)：
日本放射光学会 ,  日本表面真空学会 ,  日本応用物理学会
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