山根啓輔

Yamane Keisuke

所属機関・部署：
職名：助教

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (4件)： GaN , GaAs , GaP , 結晶成長

競争的資金等の研究課題 (17件)：

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論文 (70件)：

Shohei Kaneko, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Junichi Fujikata, Yasuhiko Ishikawa. Franz-Keldysh Effect in Lateral pin Photodetectors of Ge Strip on Si at C-, L- and U-Band Wavelengths. IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP. 2024
E. M. Pavelescu, D. Ticoş, O. Ligor, C. Romaniţan, A. Matei, F. Comănescu, V. Ţucureanu, S. I. Spânulescu, C. Ticoş, T. Ohshima, et al. Enhancement in photoluminescence from GaPAsN/GaP alloys by 6-MeV electrons irradiation and rapid thermal annealing. Optical Materials. 2024. 149. 115075-1-115075-5
Joshua Chombo, Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Takeshi Hizawa, Keisuke Yamane, Mingjun Jiang, Donghwan Ahn, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa. Anti-relaxation of tensile lattice strain in Si-embedded Ge strip structure for photonic device applications. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 3. 03SP32-1-03SP32-7
Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. High-quality Ge epitaxial film based on dislocation trapping mechanism in patterned Si substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 63. 02SP78-1-02SP78-5
Keisuke Yamane, Yuito Maki, Shun One, Akihiro Wakahara, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi. Mechanism of improved crystallinity by defect-modification in proton-irradiated GaAsPN photovoltaics: Experimental and first-principle calculations approach. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 6

MISC (23件)：

PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko. Ge-on-SiフォトニックデバイスのためのAlNストレッサー層【JST・京大機械翻訳】. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko. Si上のGeフォトニックデバイス用のストレッサーとしての反応性スパッタリングによるAlN膜. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 41(ED2023 1-9)
古家聖輝, 葛谷樹矢, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 飛沢健, 山根啓輔, 石川靖彦. Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果. 電子情報通信学会技術研究報告(Web). 2023. 123. 41(ED2023 1-9)
前田匠海, 加藤滉大, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 山根啓輔, 飛沢健, 中井哲弥, 石川靖彦. Si上Ge埋め込みエピタキシャル成長におけるトレンチ幅の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th
古家聖輝, 葛谷樹矢, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 飛沢健, 山根啓輔, 藤原弘康, 石川靖彦. Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル中間層の影響. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 84th

特許 (9件)：

講演・口頭発表等 (269件)：

アンチモン添加によるリン系III-V希薄窒化物結晶の高品質化に関する理論的解析
(第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024)
III-V希薄窒化物混晶の成長過程におけるアンチモンサーファクタント効果
(第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024)
発光デバイス応用に向けたHfGe混晶の理論的検討
(第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Franz-Keldysh Effect in Lateral pin Photodetectors of Ge Strip on Si at C-, L- and U-Band Wavelengths
(Photonic Device Workshop 2023 2023)
Formation of TEOS-SiOx film by PECVD for Si photonics applications
(Photonic Device Workshop 2023 2023)

学歴 (4件)：

経歴 (3件)：

委員歴 (3件)：

受賞 (4件)：

2022/12 - 高専-TUT太陽電池合同シンポジウム実行委員会優秀口頭発表賞希薄窒化物混晶中に導入した空孔による点欠陥低減に関する理論的解析
2016/11 - 応用物理学会結晶工学分科会発表奨励賞モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長
2013/05 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会研究奨励賞流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性およびGa原料利用効率の改善
2012/03 - 応用物理学会春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会講演奨励賞受賞ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化

所属学会 (2件)：

応用物理学会 , 日本結晶成長学会

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山根 啓輔