研究者
J-GLOBAL ID:201801016759968940   更新日: 2024年01月30日

山根 啓輔

Yamane Keisuke
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (4件): GaN ,  GaAs ,  GaP ,  結晶成長
競争的資金等の研究課題 (17件):
  • 2019 - 2022 高効率フレキシブル太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長
  • 2020 - 2021 高効率大面積III-V/Si多接合太陽電池実現に向けたGaAsPNサブセルの実証試験
  • 2020 - 2021 高効率大面積III-V族太陽電池に向けたGaAsPN混晶の電気伝導メカニズムの解明
  • 2020 - 2021 高効率太陽電池に向けた光生成キャリアの空間分離促進型pn接合
  • 2018 - 2020 完全無欠陥III-V/Siヘテロ成長技術の創生にむけたGaP系半導体材料の成長様式の解明と太陽電池応用
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論文 (67件):
  • Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa. High-quality Ge epitaxial film based on dislocation trapping mechanism in patterned Si substrate. Japanese Journal of Applied Physics. 2023
  • Keisuke Yamane, Yuito Maki, Shun One, Akihiro Wakahara, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi. Mechanism of improved crystallinity by defect-modification in proton-irradiated GaAsPN photovoltaics: Experimental and first-principle calculations approach. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 6
  • Keisuke Yamane, Ryo Futamura, Shigeto Genjo, Daiki Hamamoto, Yuito Maki, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Akihiro Wakahara. Improved crystallinity of GaP-based dilute nitride alloys by proton/electron irradiation and rapid thermal annealing. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2022. 61. 2
  • José Alberto Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Akihito Hori, Akihiro Wakahara. Growth of phosphide-based type-II stacked quantum dots for III-V/Si photovoltaic applications. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. 4. 045502-045502
  • E.-M. Pavelescu, O. Ligor, J. Occena, C. Ticoş, A. Matei, R. L. Gavrilă, K. Yamane, A. Wakahara, R. S. Goldman. Influence of electron irradiation and rapid thermal annealing on photoluminescence from GaAsNBi alloys. Applied Physics Letters. 2020. 117. 14. 142106-142106
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MISC (18件):
特許 (8件):
講演・口頭発表等 (256件):
  • 希薄窒化物結晶の結合状態制御に向けたGaPN混晶への電子線照射試験 (2)
    (第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • InP/GaPN系Type II量子ドット太陽電池構造の作製
    (第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • アンチモン被覆GaP表面への窒素原子取り込み様式の理論的解析
    (第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023)
  • 希薄窒化物混晶中に導入した空孔による点欠陥低減に関する理論的解析
    (第12回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 2022)
  • InP/GaP系Type-II量子ドット太陽電池構造におけるバンドオフセットのドットサイズ依存性
    (第5回結晶工学xISYSE合同研究会 2022)
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学歴 (4件):
  • 2008 - 2011 豊橋技術科学大学 工学研究科 博士後期課程 電子・情報工学専攻
  • 2006 - 2008 豊橋技術科学大学 工学研究科 修士課程 電気・電子工学専攻
  • 2004 - 2006 豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学課程
  • 1999 - 2004 津山工業高等専門学校 電気工学科
経歴 (3件):
  • 2022/09 - 現在 豊橋技術科学大学 大学院工学研究科 電気・電子情報工学系 准教授
  • 2014/04 - 2022/08 豊橋技術科学大学 大学院工学研究科 電気・電子情報工学系 助教
  • 2011/04 - 2014/03 山口大学大学院 理工学研究科物質工学系学域 量子デバイス工学分野 特任助教
委員歴 (3件):
  • 2023/04 - 2025/02 電子材料シンポジウム実行委員会 会場委員
  • 2014/08 - 2015/11 ISGN-6組織委員会 現地実行委員
  • 2012/06 - 2012/08 応用物理学会中国四国支部 2012年度支部学術講演会 会計委員
受賞 (4件):
  • 2022/12 - 高専-TUT太陽電池合同シンポジウム実行委員会 優秀口頭発表賞 希薄窒化物混晶中に導入した空孔による点欠陥低減に関する理論的解析
  • 2016/11 - 応用物理学会 結晶工学分科会発表奨励賞 モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長
  • 2013/05 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会 研究奨励賞 流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性およびGa原料利用効率の改善
  • 2012/03 - 応用物理学会 春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会講演奨励賞受賞 ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化
所属学会 (2件):
応用物理学会 ,  日本結晶成長学会
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