特許
J-GLOBAL ID：201803015688380572

希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法

発明者：
山根 啓輔

山根 啓輔 について


出願人/特許権者：
国立大学法人豊橋技術科学大学

国立大学法人豊橋技術科学大学 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-033467
公開番号（公開出願番号）：特開2018-138501
出願日： 2017年02月24日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：
【課題】 エピタキシャルリフトオフを用いた化合物半導体薄膜の製造方法として、エピタキシャルリフトオフに適した犠牲層膜厚を設定し、かつ結晶性に優れた半導体薄膜を提供する。【解決手段】 本発明は、(a)半導体基板上に緩衝層を介して、当該半導体基板に格子整合する犠牲層を形成する工程と、(b)当該犠牲層上に当該犠牲層に格子整合する半導体材料からなる受光層を形成する工程と、(c)前記受光層上に前記半導体基板と異なる支持基板を貼り付ける工程と、(d)前記犠牲層のエッチングにより、前記半導体基板と前記支持基板を分離する工程とを含み、前記犠牲層はN元素を含むIII-V-N混晶からなることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に緩衝層を介して、当該半導体基板に格子整合する犠牲層を形成し、当該犠牲層上に当該犠牲層に格子整合する半導体材料からなる受光層を形成する工程を含み、前記犠牲層はN元素を含むIII-V-N混晶からなることを特徴とする積層半導体基板の形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 31/024 ,  C30B 23/08
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  H01L31/08 K ,  C30B23/08 M
Fターム (13件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077FF01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA01 ,  5F849AB07 ,  5F849CB01 ,  5F849GA04 ,  5F849XB18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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