- 2024 - 2028 シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓
- 2024 - 2027 単結晶シリコン/多結晶ゲルマニウムスズから成るモノリシック三次元積層デバイスの実現
- 2024 - 2026 中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
- 2023 - 2025 Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
- 2019 - 2024 ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
- 2022 - 2023 中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発(A new fabrication scheme for Ge on Insulator with improved material properties)
- 2021 - 2023 Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現
- 2020 - 2023 低消費電力フレキシブルCMOSの創製
- 2020 - 2021 A new fabrication scheme for Ge on Insulator (NEW GOI)
- 2019 - 2021 Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現
- 2018 - 2021 材料界面の複合顕微解析-結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用-
- 2019 - 2020 卓越研究員制教員(総合理工学研究院)の海外派遣
- 2018 - 2018 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー
- 2014 - 2017 Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
- 2013 - 2015 MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現
- 2015 - 2015 超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究
- 2012 - 2012 高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発
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