研究者
J-GLOBAL ID:201801018540294032   更新日: 2024年04月12日

山本 圭介

ヤマモト ケイスケ | Yamamoto Keisuke
所属機関・部署:
職名: 准教授
競争的資金等の研究課題 (13件):
  • 2019 - 2024 ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
  • 2022 - 2023 中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発(A new fabrication scheme for Ge on Insulator with improved material properties)
  • 2021 - 2023 Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現
  • 2020 - 2023 低消費電力フレキシブルCMOSの創製
  • 2020 - 2021 A new fabrication scheme for Ge on Insulator (NEW GOI)
全件表示
論文 (79件):
  • Noboru Shimizu, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, and Keisuke Yamamoto. Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback Method. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2024. 13. 4. 044001
  • Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Roger Loo, Clement Porret, Jinyoun Cho, Kristof Dessein, Valerie Depauw. Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 04SP32
  • Linyu Huang, Kenta Moto, Kota Igura, Takamitsu Ishiyama, Kaoru Toko, Dong Wang, Keisuke Yamamoto. Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP42
  • Kenta Moto, Kaoru Toko, Tomonari Takayama, Toshifumi Imajo, Takamitsu Ishiyama, and Keisuke Yamamoto. Rectifying Schottky Contact in ZrN/polycrystalline p-Ge. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2023. 11. 553-558
  • Takaya Nagano, Ryutaro Hara, Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Taizoh Sadoh. Improved carrier mobility of Sn-doped Ge thin films (≤20 nm) on insulator by interface-modulated solid-phase crystallization combined with surface passivation. Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. 165
もっと見る
MISC (14件):
  • 東英実, 笠原健司, 山本圭介, 工藤康平, 山田晋也, 金島岳, 中島寛, 浜屋宏平. 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
  • Sethavut Duangchan, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Akiyoshi Baba. SiN used as a Stressor in Germanium-On-Insulator Substrate. 2019 International 3D Systems Integration Conference (3DIC)(3DIC). 2019. 1-5
  • 古荘仁久, 高山恭一, 山本圭介, 中島寛, 野平博司, 金島岳. 溶液処理による結晶Lu-doped La2O3/La2O3/Ge(111)MIS界面特性改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2018. 65th
  • 銭高真人, 古荘仁久, 山本圭介, 中島寛, 浜屋宏平, 金島岳. La2O3/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La2O3キャップ層の効果. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th
  • 金島岳, 銭高真人, 山本圭介, 山城陸, 只野純平, 野平博司, 中島寛, 山田晋也, 浜屋宏平. La2xA2(1-x)O3(A=Lu,Y)/La2O3/Ge(111)MIS構造におけるC-V特性の改善. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 63rd
もっと見る
講演・口頭発表等 (168件):
  • Thermally oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-MOS Capacitor and Field-Effect Transistor
    (244th ECS meeting 2023)
  • リセスチャネル化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • Fabrication of Inversion Mode n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge
    (2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • Optical Material Properties of Epitaxial SiGe/Si Multi-Layers Used for Complementary FET Devices
    (2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023)
  • High Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Thin-Films (<20 nm) by Thinning Combined with Post-Annealing
    (2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023)
もっと見る
学歴 (1件):
  • 2010 - 2012 九州大学 総合理工学府 博士後期課程
学位 (1件):
  • 博士(工学) (九州大学)
経歴 (5件):
  • 2022/06 - 現在 九州大学 総合理工学研究院 准教授
  • 2021/11 - 2022/06 九州大学 総合理工学研究院 助教
  • 2016/11 - 2021/10 九州大学 総合理工学研究院 助教(卓越研究員)
  • 2013/01 - 2016/10 九州大学 グリーンアジア国際リーダー教育センター 助教
  • 2012/04 - 2013/01 日本学術振興会 特別研究員(DC2, PD)
委員歴 (1件):
  • 2019/04 - 2019/04 九州大学 総合理工学府同窓会 修了生役員
受賞 (1件):
  • 2023/10 - IWDTF Best Paper Award
所属学会 (2件):
アメリカ電気化学会 ,  応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る