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J-GLOBAL ID：201802210047078558   整理番号：18A1358366

反応性DCマグネトロンスパッタリングにより高速で蒸着したNbドープTiO_2薄膜の電気抵抗率に及ぼすエージング効果【JST・京大機械翻訳】

Ageing effects on electrical resistivity of Nb-doped TiO₂ thin films deposited at a high rate by reactive DC magnetron sputtering

著者 (10件)： Casotti Davide (Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche, Universita di Modena e Reggio Emilia, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy) ,  Casotti Davide (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto Nanoscienze, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy) ,  Orsini Valentina (Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche, Universita di Modena e Reggio Emilia, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy) ,  di Bona Alessandro (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto Nanoscienze, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy) ,  Gardonio Sandra (University of Nova Gorica, Materials Research Laboratory, Vipavska 11c, 5270 Ajdovscina, Slovenia) ,  Fanetti Mattia (University of Nova Gorica, Materials Research Laboratory, Vipavska 11c, 5270 Ajdovscina, Slovenia) ,  Valant Matjaz (University of Nova Gorica, Materials Research Laboratory, Vipavska 11c, 5270 Ajdovscina, Slovenia) ,  Valant Matjaz (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, 610054 Chengdu, China) ,  Valeri Sergio (Dipartimento di Scienze Fisiche, Informatiche e Matematiche, Universita di Modena e Reggio Emilia, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy) ,  Valeri Sergio (Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto Nanoscienze, via G. Campi 213/a, 41125 Modena, Italy)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 455  ページ： 267-275  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ターゲットからの反応性DCマグネトロンスパッタリングにより高速度で成長させたNbドープTiO_2薄膜における電気抵抗率の長期安定性について報告した。成長過程での酸素流の活性制御により,高い堆積速度が得られた。膜の微細構造と微結晶の優先配向は,膜成長過程における全作動圧力によって制御される。真空中での熱処理後,膜抵抗は10~3Ωcmの範囲にあり,光透過率は可視領域で80%以上であった。乾燥窒素下で保たれた時,膜は安定であるが,材料が空気に曝されると著しい時効が観察された。この場合,DC抵抗率は着実に増加し,膜を通して破壊する。膜の微細構造の進展と膜表面上の酸素交換によって,時効過程を議論した。大気からの酸素取り込みは浅い表面領域に限定される。この機構は,膜抵抗率の増加に主に寄与する破壊の形成/伝搬を引き起こす可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 時効 ,  微結晶 ,  *電気抵抗率 ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  微細構造 ,  酸素 ,  窒素 ,  *ドーピング ,  *高速度 ,  薄膜成長 ,  優先配向
準シソーラス用語： 可視領域 ,  膜抵抗 ,  *DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： TiO_2ベース透明導電性薄膜 ,  高速反応性スパッタリング ,  Ti Nb金属ターゲット ,  電気抵抗率 ,  骨折 ,  老化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 反応性 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  Nb ,  ドープ ,  薄膜 ,  電気抵抗率 ,  エージング