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J-GLOBAL ID：201802210093816771   整理番号：18A1259371

GaN HEMT技術による高線形電力増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a high linearity power amplifier in GaN HEMT technology

著者 (4件)： Zhao Yinghong (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China) ,  Xue Yu (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China) ,  Qian Feng (Science and Technology on Monolithic Integrated and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China) ,  Zheng Weibin (Science and Technology on Monolithic Integrated and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWS  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kuバンドで動作する37.5dBmの高線形電力増幅器を示した。この電力増幅器はGaN高電子移動度トランジスタを用いて0.25μmゲートプロセスで作製した。線形性特性化を改善するために,2つの回路を異なる出力整合ネットワークで設計した。最初のものは,PAE特性化のための最適負荷に適合し,一方,2番目は,IM3によって量子化される線形性特性化のための最適負荷に適合した。測定結果は,最大出力パワーが37.5dBmまでであり,最良のPAEが36%まで得られることを示した。2つの回路の測定線形結果も示した。第2の回路のPAEは最初の回路のPAEより2~4低く,線形性は1~2dBcであった。結果は,出力整合ネットワークが,より高い線形性を得るために線形性特性化のために最適負荷に近く適合できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子化 ,  *電力増幅器 ,  *HEMT ,  ネットワーク ,  キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム ,  *線形性
準シソーラス用語： 最大出力 ,  Kuバンド ,  *GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  HEMT ,  線形 ,  電力増幅器 ,  設計