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J-GLOBAL ID：201802210156118594   整理番号：18A1768084

トップゲート単層MOS_2トランジスタにおける接触抵抗に及ぼす高k誘電体媒介ドーピングの影響の解析【JST・京大機械翻訳】

Analyzing the Effect of High-k Dielectric-Mediated Doping on Contact Resistance in Top-Gated Monolayer MoS₂ Transistors

著者 (2件)： Alharbi Abdullah (Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, NY, USA) ,  Shahrjerdi Davood (Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4084-4092  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニドへの低抵抗接触を得ることができるスケーラブルなプロセスは,これらの材料からの実行可能なデバイス技術を実現するために重要である。ここでは,接触抵抗とキャリア移動度を含む重要なデバイス計量に及ぼす高k誘電体媒介ドーピングの影響を系統的に調べた。具体的には,単層MoS_2からのトップゲートトランジスタを試験媒体として用い,HfO_xゲート誘電体中の酸素空格子点の量を調整することによりMoS_2ドーピングレベルを変化させた。接触抵抗に及ぼすドーピングの影響を理解するために,基本的観点から,著者らは最初に,単層MoS_2におけるドーピングレベルを推定した。著者らのデバイス研究の結果は,ドーピングの増加による接触抵抗の減少が,金属-半導体界面におけるSchottky障壁高さ(SBH)のドーピング誘起低下に起因することを定量的に示した。さらに,著者らの温度依存測定は,高いキャリア密度においてさえ,熱電子と電界放出の混合物が,接触におけるキャリア伝導を支配することを明らかにした。著者らの研究は,SBHの低下における誘電誘起ドーピングの有効性を明らかにしたが,単層MoS_2へのオーム様接触を達成するためには,代替法を用いたSBHの更なる低減が必要であることを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *接触抵抗 ,  電界放出 ,  *トランジスタ ,  温度依存性 ,  *ドーピング ,  媒質 ,  キャリア密度 ,  *単一層 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *高k誘電体 ,  酸素空格子点 ,  *トップゲート ,  金属-半導体界面 ,  Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： トップ ,  ゲート ,  単層 ,  トランジスタ ,  接触抵抗 ,  高k誘電体 ,  ドーピング ,  解析