文献
J-GLOBAL ID：201802210197460708
整理番号：18A2027620
GaN-HFETを用いたクラスPHI-2インバータによる絶縁形DC-DCコンバータの負荷変動に関する研究【JST・京大機械翻訳】
A Study on Load Fluctuation of Isolated DC-DC Converter with Class Phi-2 Inverter using GaN-HFET
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著者 (5件)：
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資料名：
巻：
2018
号：
IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia
ページ：
3762-3767
発行年：
2018年
JST資料番号：
W2441A
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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近年,GaN-HFET(ヘテロ接合電界効果トランジスタ)の開発と応用が活発になっている。GaN-HFETは高周波動作において利点があるので,スイッチング周波数を上げることによりサイズ電力変換器をダウンダウンすることができる。本論文では,13.56MHzで動作するGaN-HEFTを用いたクラスphi-2インバータ回路による孤立DC-DCコンバータの負荷変動を調べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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図形・画像処理一般
タイトルに関連する用語 (9件)：
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