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J-GLOBAL ID：201802210368153350   整理番号：18A0826916

埋込みInAs量子ドット層を含むGaAsデバイスにおける少数キャリア捕獲

Minority Carrier Traps in GaAs Devices with Embedded InAs Quantum Dot Layers

著者 (2件)： SATO S-I. (QST) ,  OHSHIMA T. (QST)
資料名： 量子科学技術研究開発機構資料(Web)  (QST-M (Web))
号： 2  ページ： 34 (WEB ONLY)  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： U1319A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 埋込み ,  InAs量子ドット ,  GaAs ,  キャリア捕獲