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J-GLOBAL ID：201802210434657949   整理番号：18A0027414

FinFET SRAMの変動性に及ぼすベースの物理的クローン不可能機能(PUF)の評価と最適化【Powered by NICT】

Evaluation and optimization of physical unclonable function (PUF) based on the variability of FinFET SRAM

著者 (5件)： Zhang Shen (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Gao Bin (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wu Dong (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Wu Huaqiang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Qian He (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDSSC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセスによる小振幅偏差であるFinFET変動はCMOSのスケーリングを無視できない。SRAM物理的複製不可能関数(PUF)のランダム源として変動を利用する。変動の影響をデバイスレベルからの回路レベルのためにシミュレートした。SRAM静的雑音余裕(SNM)とSRAM PUF信頼性への影響,及びそれらの間のトレードオフ関係でなされてきた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： クローン ,  複製 ,  信頼性 ,  *最適化 ,  CMOS ,  *SRAM
準シソーラス用語： 静的雑音余裕 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： FinFET ,  SRAM ,  変動性 ,  物理 ,  クローン ,  評価 ,  最適化