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J-GLOBAL ID：201802210575152576   整理番号：18A1768095

チャネルとして単層および数層2D材料を用いたバンドからバンドへのトンネルFETのab initioシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Ab Initio Simulation of Band-to-Band Tunneling FETs With Single- and Few-Layer 2-D Materials as Channels

著者 (6件)： Szabo Aron (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Klinkert Cedric (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Campi Davide (Laboratory of Theory and Simulation of Materials, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Stieger Christian (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Marzari Nicola (Laboratory of Theory and Simulation of Materials, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Luisier Mathieu (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4180-4187  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理に基づく全バンド原子論的量子輸送シミュレーションを用いて,将来の電子回路構成要素として二次元チャネル材料を用いたバンド間トンネリングFET(TFET)の可能性を評価した。単層(SL)遷移金属ジカルコゲニドはTFET応用に適していないことを実証した。しかし,まだ剥離されていない2-D半導体の大きな多様性が存在する可能性がある。本論文は,非常に効率的なTFETを実現するために,それらの中で最も有望な候補のいくつかを指摘した。SL SnTe,As,TiNBr,およびBiはすべて,0.5Vの供給電圧と0.1nA/μmのオフ電流値で100μA/μmより大きいON電流を理想的に供給することが分かった。単一層から多重層への進行は,狭いバンドギャップからの利得が劣化ゲート制御からの損失を超える限り,TFET性能を高めることができることを示した。最後に,2-D van der Waalsヘテロ接合TFETは,最適二次元材料組合せにおける研究の道を開いて,ほとんど同様に最良のSLホモ接合を実行することを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *シミュレーション ,  電流 ,  半導体 ,  ビスマス ,  電子回路 ,  利得 ,  *二次元 ,  多層 ,  *単一層 ,  *チャネル ,  バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： ホモ接合 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： チャネル ,  単層 ,  2D ,  バンド ,  トンネルFET ,  シミュレーション