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J-GLOBAL ID：201802210677261881   整理番号：18A0442474

Cu板上のAg焼結層を用いた直接チップボンディングを用いたSiCとSi電力素子のTCT下での熱応力の比較【Powered by NICT】

Comparison of thermal stress under TCT between SiC and Si power devices using direct chip-bonding with ag sintered layer on Cu plate

著者 (7件)： Kanemoto Masaki (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan) ,  Aoki Masaaki (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan) ,  Mochizuki Akihiro (MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan) ,  Murakami Yoshio (MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan) ,  Tsunoda Mutsuharu (MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan) ,  Yoshinari Goro (MacDermid Performance Solutions, Hiratsuka, Kanagawa 254-0082, Japan) ,  Nakano Nobuhiko (Department of Electronics and Electrical Engineering, Faculty of Science and Technology, Keio University, Yokohama, Kanagawa 223-8521, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDAPS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu板上のAg焼結チップアタッチメントを用いたSiCとSiパワーデバイスチップシステムのための3Dマルチフィジックス・ソルバによる熱サイクル試験下での熱応力プロファイルと濃度を明らかにした。SiCとSiの間の比較分析は,SiC構造の最大応力値はSiCの大きなYoung率によるAg焼結と通常のはんだチップアタッチメントの両方のためのSi構造のそれよりも高いことを示した。Ag焼結層の厚さは,従来のはんだよりも五分の1の薄さで,これは3mm以下のCu板厚を有するSiC構造のためのAg焼結層中の応力はわずかに増加した。熱応力の物理的機構を明らかにするために応力方向についても明らかにした。法線応力はAg焼結層の隅角部でのvon Mises応力の主要成分である,SiC及びSiチップの両方であることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *熱応力 ,  Young率 ,  *焼結 ,  *銀 ,  はんだ ,  三次元 ,  板厚 ,  *銅 ,  *炭化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  法線応力
準シソーラス用語： シリコンチップ ,  熱サイクル試験 ,  *パワーデバイス ,  *銅板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu板 ,  Ag ,  焼結層 ,  ボンディング ,  SiC ,  Si ,  電力素子 ,  TCT ,  熱応力