文献
J-GLOBAL ID:201802210750129804   整理番号:18A0238202

異なるバッファ層をもつCu(In,Ga)(S,Se)_2太陽電池のヘテロ界面再結合【Powered by NICT】

Heterointerface recombination of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cells with different buffer layers
著者 (4件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 127-134  発行年: 2018年 
JST資料番号: W0463A  ISSN: 1062-7995  CODEN: PPHOED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Cu(In,Ga)(S,Se)2太陽電池は高い変換効率(η)薄膜太陽電池。ηを増加させる方法の一つは,330~550nmのスペクトル領域におけるキャリア生成を増強するためのより透明材料による伝統的なCdS/ZnOバッファ層を置き換えることである。Cd_0 0.75Zn_0 0.25S/ZnO,CdS/ZnS(O,OH)/ZnO,及び薄いCdS/ZnS(O,OH)/Zn_0 0.79Mg_0 21Oバッファ層は,Cu(In,Ga)(S,Se)2ベース太陽電池における従来のCdS/ZnOバッファ層を置換するために開発した。ZnO,Zn_0 0.79Mg_0 21O,ZnO:Alをスパッタリング法で調製した。低スパッタリング損傷に起因する,低表面キャリア再結合はCdS/ZnOまたはCd_0 0.75Zn_0 0.25S/ZnOバッファ層をもつ太陽電池で観察されたが,最高の表面キャリア再結合はZnS(O,OH)/ZnOバッファ層を持つ太陽電池を提示した。,薄いCdS/ZnS(O,OH)/ZnOまたはZn_0 0.79Mg_0 21Oバッファ層は,太陽電池で適用された表面再結合を低減することである(還元スパッタリング損傷)。Cd_0 0.75Zn_0 0.25S/ZnO,CdS/ZnS(O,OH)/ZnO,及び薄いCdS/ZnS(O,OH)/Zn_0 0.79Mg_0 21Oバッファ層を持つ太陽電池の変換効率は19.61%,18.60%,18.81%に,それぞれ高められる,これは伝統的なCdS/ZnOバッファ層を持つ太陽電池の18.32%よりも高かった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る