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J-GLOBAL ID：201802210829979809   整理番号：18A1913750

3D NANDフラッシュのためのワード線干渉に基づいたデータ復元技術

Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash

著者 (14件)： Yang Liu (University of Chinese Academy of Science) ,  Yang Liu (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Liu (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.) ,  Liu Fei (University of Chinese Academy of Science) ,  Liu Fei (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Fei (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.) ,  Cao Huamin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Cao Huamin (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.) ,  Wang Qi (University of Chinese Academy of Science) ,  Wang Qi (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Qi (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.) ,  Huo Zongliang (University of Chinese Academy of Science) ,  Huo Zongliang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Huo Zongliang (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 15  号： 19  ページ： 20180762(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特定の保持時間を超えてNANDフラッシュメモリを使用すると,保持エラーよってNANDフラッシュメモリに保存されたデータが正しく読み出されない可能性がある。本論文では,保持エラーの発生したデータを復元するために,ワード線干渉(WI)をベースにしたデータ復元技術を提案した。WIを用いれば,1回のプログラミング操作で大量の電子を保持不良のセルに再注入することができる。復元効率を改善し,ブロック内で保持エラーを復元するために,WIと以前に報告されたDRRP技術を組み合わせた反復型WI復元アルゴリズムを提案した。実験の結果,WI復元技術によって,DRRP技術よりも高い復元効率が得られることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,  保持 ,  *回復 ,  配線 ,  電磁干渉 ,  電圧
準シソーラス用語： *NANDフラッシュメモリ ,  *データ復元 ,  データ保持 ,  ワード線 ,  閾値電圧

著者キーワード (4件)： 3D NANDフラッシュ ,  データ保持 ,  データ回収 ,  ワード線干渉

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• [1] H.-J. Kang, et al.: “Comprehensive analysis of retention characteristics in 3-D NAND flash memory cells with tube-type poly-Si channel structure,” Symposium on VLSI Technology (2015) 182 (DOI: 10.1109/VLSIT.2015.7223670).
• [2] M. Kang, et al.: “DIBL-induced program disturb characteristics in 32-nm NAND flash memory array,” IEEE Trans. Electron Devices 58 (2011) 3626 (DOI: 10.1109/TED.2011.2161313).
• [3] M. Park, et al.: “Direct field effect of neighboring cell transistor on cell-to-cell interference of nand flash cell arrays,” IEEE Electron Device Lett. 30 (2009) 174 (DOI: 10.1109/LED.2008.2009555).
• [4] Y. Cai, et al.: “Read disturb errors in MLC NAND flash memory: Characterization, mitigation, and recovery,” IEEE/IFIP International Conference on Dependable Systems and Networks (2015) 438 (DOI: 10.1109/DSN.2015.49).
• [5] C. Yang, et al.: “Data storage time sensitive ECC schemes for MLC NAND flash memories,” IEEE International Conference on Acoustics, Speech and Signal Processing (2013) 2513 (DOI: 10.1109/ICASSP.2013.6638108).

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  NANDフラッシュ ,  ワード線 ,  干渉 ,  データ復元