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J-GLOBAL ID:201802210830226539   整理番号:18A1805608

微小エッジ局在モードに対する抵抗率の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of resistivity on small edge localized mode
著者 (4件):
資料名:
巻: 25  号:ページ: 092305-092305-9  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0641B  ISSN: 1070-664X  CODEN: PHPAEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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小さいエッジ局在モード(ELM)に及ぼす抵抗率の影響を,BOUT++の剥離-バルーニング三場モジュールに基づいて研究した。ELMサイズは抵抗率の増加と共に増加し,これは線形成長速度と乱流強度の両方に起因する。高抵抗率の場合には,大きな線形成長速度はペデスタルの激しい初期崩壊を引き起こし,帯状流の短い持続時間は弱い乱流抑制をもたらし,乱流輸送相におけるより付加的なエネルギー損失をもたらす。本研究は,小さなELMの理解に関するいくつかの参照を提供することが期待される。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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核融合装置  ,  プラズマ波,プラズマ不安定性  ,  プラズマ平衡・閉込め 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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