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J-GLOBAL ID：201802211466519528   整理番号：18A0200955

フリップチップ相互接続技術の世代的変化【Powered by NICT】

Generational changes of flip chip interconnection technology

著者 (5件)： Tsai Wen Shan (R & D Center / Silconware Precision Industrial Co. Ltd, No.153, Sec. 3, Chung Shan Rd., Tantzu, Taichung, Taiwan (R.O.C.) 42756) ,  Huang C. Y. (R & D Center / Silconware Precision Industrial Co. Ltd, No.153, Sec. 3, Chung Shan Rd., Tantzu, Taichung, Taiwan (R.O.C.) 42756) ,  Chung C. Key (R & D Center / Silconware Precision Industrial Co. Ltd, No.153, Sec. 3, Chung Shan Rd., Tantzu, Taichung, Taiwan (R.O.C.) 42756) ,  Yu K. H. (R & D Center / Silconware Precision Industrial Co. Ltd, No.153, Sec. 3, Chung Shan Rd., Tantzu, Taichung, Taiwan (R.O.C.) 42756) ,  Lin C. F. (R & D Center / Silconware Precision Industrial Co. Ltd, No.153, Sec. 3, Chung Shan Rd., Tantzu, Taichung, Taiwan (R.O.C.) 42756)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMPACT  ページ： 306-310  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フリップチップ(FC)実装技術は1960年代にIBMが開発した等計算機における電子デバイスの高機能性能の使用,軍事,移動,自動車広くした。基板とチップ間の電気的接続をはんだバンプの利用により,より短い経路を提供し,ワイヤボンディングと比較して,待ち時間問題を減らすことができる。さらに,フリップチップは,エリアアレイ結合,単一ダイ内の高I/O(入力/出力)密度を可能にする,半導体スケーリングプロセスを駆動する。数十年にわたり,フリップチップデバイス内の相互接続の数は百の半百万バンプ接合から増加している。大量,高いI/O数を達成するための目的のために,バンプサイズとバンプピッチの小型が重要な役割を果たしており,また顔技術挑戦。五十年にわたって発展してきたチップ相互接続バンプ技術。一般に,接続法によるにおける三世代に分けることができた。第一世代は130μmでバンプピッチを持っていたが,第二世代のバンプピッチは40から130μmの範囲内であった。最も最近(第三世代)は30μmより小さいことを開発した。各発生は異なる集合パッケージを形成する因子への独特の結合技術と封止材料を有していた。バンプの場合,通常はんだボールの構成された130μmでピッチは制御崩壊チップ結合(C4)バンプと呼ばれている。ほぼ千カウントまで,デバイス中のバンプは通常フラックスとリフローはんだ付けプロセスとフリップチップボンダを用いたセラミックまたは有機基板上に結合していた。さらに,フラックス洗浄はフラックス残さ,はんだ接合部を保護するために続いてアンダーフィルまたは鋳型カプセル封じプロセスにより,を除去するために導入した。フリップチップボールグリッドアレイ(FCBGA)とフリップチップチップスケールパッケージ(FCCSP)は,このC4関節発生の古典的な二パッケージタイプである。40 130μmのバンプピッチ,いわゆるマイクロバンプまたはチップ接続(C2)バンプである相互接続技術として,熱-機械反りと結合精度は主要な課題である。薄いはんだチップを用いた銅ピラーは一般に微細ピッチ要件を満たすために生成した。しかし,はんだ付け中の崩壊過程であるチップと基板間のCTE不整合により誘起された反り,熱的不整合問題のための解決策であることによるシリコンインターポーザ(TSI)の実行を駆動することを補償することが困難である。さらに,熱圧縮結合(TCB)技術高精度ボンダーをダイボンディング工程のための必須条件である。バンプスケーリングの小型化のために,フラックス洗浄プロセスはパッケージ内清浄化した完全に達成するために困難になっている。フラックスレスあるいは非清浄フラックスの需要が一般的になりつつある。不導通ペースト(NCP)または非導電性膜(NCF)のような新しいカプセル化材料は,微細ピッチ集合と2.5Dパッケージを可能にするために適用されている。3DIC集合,最も進歩したパッケージ型,は30μm以下へのバンプピッチを設計するための前進である。既存はんだ付けプロセスははんだ先端の物理的限界のためにこの新しいバンプスケーリングと高精度要求を支持する長いことができない。超高真空環境と無電解めっきでの熱拡散プロセスを用いた直接Cu-Cu(銅)結合のようなプロセスは近年益々注目を得ている。超微細ピッチ接合のためのCu-Cu相互接続に関する研究はまだ探査段階で,既にいくつかの陽性結果を示した。微細ピッチと小さな相互接続サイズの粒子制御は,収量にとって重要な考慮因子になるであろう。フリップチップ技術進化の観点から,本論文では,材料,機械,環境及びプロセスの観点からこれらの相互接続の要件を考察する。さらに,フリップチップパッケージにおけるバンプ相互接続の変化についても議論した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フリップチップ法 ,  ペースト ,  不整合 ,  リフロソルダリング ,  *相互接続 ,  セラミック ,  小型化 ,  バンプ ,  銅 ,  自動車 ,  はんだ ,  無電解めっき ,  ダイボンディング ,  半導体
準シソーラス用語： アンダーフィル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： フリップチップ ,  相互接続 ,  世代