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J-GLOBAL ID：201802211539785772   整理番号：18A1144269

スパッタZnOヘテロ構造における2DEGの表面状態と界面電荷の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Surface States and Interface Charges in 2DEG in Sputtered ZnO Heterostructures

著者 (4件)： Singh Rohit (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG) and Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India) ,  Khan Md. Arif (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG) and Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India) ,  Mukherjee Shaibal (Hybrid Nanodevice Research Group (HNRG), Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India) ,  Kranti Abhinav (Low Power Nanoelectronics Research Group, Discipline of Electrical Engineering, IIT Indore, Simrol, Indore, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 7  ページ： 2850-2854  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,スパッタリングにより成長させたMgZnO/ZnOヘテロ構造における二次元電子ガス(2DEG)の形成に及ぼす表面(ドナーおよびアクセプタ)状態および界面電荷の影響について報告した。ドナーとアクセプタ状態だけでは,エピタキシャル法に比べてスパッタリング成長で観測されるように,2DEGの大きさのオーダを得ることはできない。表面ドナー状態はエピタキシャル成長したヘテロ構造における2DEGの形成を支配すると報告されているが,このシミュレーションは2DEG密度における表面アクセプタ状態の無視できない寄与を示唆している。さらに,ドナーとアクセプタ状態の適切な値に沿った高い欠陥密度による界面電荷の存在は,スパッタリングにより成長させた2DEG密度の大きさを正確に予測するために不可欠である。本論文では,2DEG形成における界面電荷に沿ったドナーとアクセプタ状態の明確な役割を解析し,得られた値を達成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 欠陥密度 ,  エピタクシー ,  ドナー ,  *酸化亜鉛 ,  スパッタリング ,  *二次元電子ガス ,  アクセプタ
準シソーラス用語： 界面電荷 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  2DEG ,  界面電荷 ,  役割