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J-GLOBAL ID：201802211589900445   整理番号：18A1211100

高いI_ONとBVを持つノーマリオフ二重ゲートGa_2O_3プレーナMOSFETとFinFET【JST・京大機械翻訳】

Normally-OFF dual-gate Ga₂O₃ planar MOSFET and FinFET with high I_ON and BV

著者 (4件)： Wong H. Y. (Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA) ,  Braga N. (Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA) ,  Mickevicius R. V. (Synopsys, Inc., Mountain View, CA, USA) ,  Ding F. (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 379-382  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GA_2O_3は,その大きなバンドギャップと安価な天然基板のため,パワーエレクトロニクス用の有望な広バンドギャップ材料である。しかし,技術的困難さのために,n型接合のないMOSFET(V_th<0V)だけが容易にできる。著者らは,Ga_2O_3平面MOSFETとFinFETの両方のための正規オフ素子を達成するために,デュアルゲート構成を用いることを提案した。較正されたパラメータを用いたTCADシミュレーションにより,正常オフ二重ゲート平面素子とFinFETが,高ドーピングが可能になると,ON電流(I_ON)において6Xと1Xの増強で達成できることが分かった。一方,絶縁破壊電圧は犠牲にならなかった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  パワーエレクトロニクス ,  電流 ,  接合 ,  *MOSFET ,  シミュレーション ,  ドーピング
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  TCAD ,  低価格 ,  *FinFET ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重ゲート ,  プレーナ ,  MOSFET ,  FinFET