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J-GLOBAL ID：201802211664136889   整理番号：18A0190635

マルチレベル操作による層選択を用いたチャネル積層NANDフラッシュメモリにおけるブースト共通ソースラインプログラム方式【Powered by NICT】

A boosted common source line program scheme in channel stacked NAND flash memory with layer selection by multilevel operation

著者 (5件)： Kim Do-Bin (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Kwon Dae Woong (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Kim Seunghyun (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Lee Sang-Ho (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea) ,  Park Byung-Gook (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SNW  ページ： 77-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高チャネルブースティング可能性を得て,マルチレベル手術(LSM)による層選択とチャネル積層型におけるプログラム障害を低減するために,ブースト共通ソース・ライン(CSL)を用いた新しいプログラムスキームを提案した。提案した方式は,それ自身のCSLによる各層に適切なバイアスを印加することにより達成することができる。LSMにおける新しい方法の有効性を検証するために,TCADシミュレーションを行った。TCADシミュレーションを通して,プログラム障害特性は大幅に改善されていることを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プログラムスキーム ,  *チャネル ,  シミュレーション ,  バイアス
準シソーラス用語： TCAD ,  *NANDフラッシュ ,  *マルチレベル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチレベル ,  層 ,  チャネル ,  NANDフラッシュメモリ ,  ソースライン