文献

J-GLOBAL ID：201802212006231788   整理番号：18A0722133

ソースドレイン空乏長を含むGaussドープ二重ゲート無接合(Gd-DG-JL)トランジスタの研究:サブ閾値挙動のモデル【JST・京大機械翻訳】

Study of Gaussian Doped Double Gate JunctionLess (GD-DG-JL) transistor including source drain depletion length: Model for sub-threshold behavior

著者 (4件)： Kumari Vandana (Department of Electronics, Maharaja Agrasen College, University of Delhi, India) ,  Kumar Ayush (Electronics & Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, Himachal Pradesh, India) ,  Saxena Manoj (Department of Electronics, Deen Dayal Upadhyaya College, University of Delhi, India) ,  Gupta Mridula (Semiconductor Device Research Laboratory, Department of Electronic Science, University of Delhi, South Campus, New Delhi, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 113  ページ： 57-70  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレイン空乏長を含むGaussドーピング二重ゲート接合レス(GD-DG-JL)FETのサブ閾値モデル定式化を,非ゲート領域が完全に枯渇しているという仮定の下で,本研究で報告した。デバイス性能へのより深い洞察を提供するために,広いTCADデバイスシミュレーションを用いて,ガウスストラグ,チャネル長,酸化物およびチャネル厚さおよび高kゲート誘電体の影響を研究した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ゲート絶縁膜 ,  酸化物 ,  定式化 ,  *トランジスタ ,  チャネル ,  *ドーピング ,  *接合
準シソーラス用語： チャネル長 ,  デバイスシミュレーション ,  TCAD ,  *サブ閾値 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 無接合 ,  ATLAS ,  ガウス ,  モデリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： ソース ,  ドレイン ,  ドープ ,  二重ゲート ,  Gd ,  dG ,  トランジスタ ,  研究 ,  サブ閾値 ,  挙動 ,  モデル