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J-GLOBAL ID：201802212068585263   整理番号：18A0706414

MOS_2/GaN p-nヘテロ接合に基づく高性能自己出力深紫外光検出器【JST・京大機械翻訳】

High-performance self-powered deep ultraviolet photodetector based on MoS₂/GaN p-n heterojunction

著者 (9件)： Zhuo Ranran (School of Physics and Engineering and Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Yuange ,  Wu Di ,  Lou Zhenhua ,  Shi Zhifeng ,  Xu Tingting ,  Xu Junmin ,  Tian Yongtao ,  Li Xinjian
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 2  ページ： 299-303  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能深紫外(DUV)光検出器(PD)は,多くの分野で非常に重要であるため,非常に望まれている。本研究では,自己給電MoS_2/GaN p-nヘテロ接合PDを構築し,DUV光照射に対する高感度と顕著な光起電力挙動を示した。光応答解析により,外部電源なしでのゼロバイアス電圧において265nmのDUV光の下で,高い感度,2.34×10~13Jones,高い線形ダイナミックレンジ97.3dB,高速応答速度46.4/114.1μs(5kHz)を明らかにした。さらに,MoS_2/GaN p-nヘテロ接合PDは,10kHz以上の広い周波数範囲において,優れた安定性と再現性で動作することができた。高性能はヘテロ接合における内蔵電場による増強に起因すると考えられる。このような高性能自己給電DUV PDは将来において大きな潜在的応用を有することが期待される。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高感度 ,  周波数 ,  再現性 ,  電場 ,  光起電力 ,  ダイナミックレンジ ,  *光検出器 ,  光照射 ,  線形性 ,  *ヘテロ接合 ,  応答解析
準シソーラス用語： 高速応答 ,  バイアス電圧 ,  自己給電 ,  *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  発光素子  (NC03082G) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  P-Nヘテロ接合 ,  高性能 ,  自己 ,  深紫外 ,  光検出器