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J-GLOBAL ID：201802212115947906   整理番号：18A0446868

高信頼磁場サイクリング特性を有するp+Ge上のサブnm EOT強誘電HfO_2【Powered by NICT】

Sub-nm EOT ferroelectric HfO₂ on p+Ge with highly reliable field cycling properties

著者 (7件)： Tian X. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Xu L. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Shibayama S. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Nishimura T. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Yajima T. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Migita S. (National Institute of Advanced Industrial Science & Technology (AIST), Tsukuba, Japan) ,  Toriumi A. (The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 37.1.1-37.1.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5nm厚強誘電YドープH fO2を集中的に研究した。強誘電特性の厚さ依存性は,安定な強誘電特性はドーピングとキャッピング効果のケアを用いて5nm厚まで維持されることを示した。さらに,サイクル性能は覚醒挙動,10~8サイクル後に明らかな劣化を示さなかった。これらの結果は,だけでなく実用化のための強誘電HfO_2を用いたが,材料科学の観点から超薄強誘電HfO_2膜の本質的な特性を指摘することができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  ドーピング ,  材料科学 ,  *磁場
準シソーラス用語： サイクル性能 ,  厚み依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁場 ,  サイクリング ,  サブ ,  EOT