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J-GLOBAL ID：201802212328945372   整理番号：18A1773609

共鳴トンネルダイオードの電流密度プロファイルに及ぼす自己無撞着法の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Self-Consistency Technique on Current Density Profile of Resonant Tunneling Diode

著者 (4件)： Deyasi Arpan (Department of Electronics and Communication Engineering, RCC Institute of information Technology, Kolkata, INDIA) ,  Lodh Rupali (Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA) ,  Karmakar Biswarup (Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA) ,  Biswas Pradipta (Department of Electronic Science, A. P. C College, INDIA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEMENTech  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,共鳴トンネル装置における電流密度を計算するための自己整合技術の重要性を明らかにした。Al_xGa_1-xAs/GaAs/Al_yGa_1-yAs構造をシミュレーション目的のために考慮し,SchroedingerとPoisson方程式の両方を,外部印加バイアスの関数として電流密度を得るために適切な境界条件に従って同時に解いた。タイプI範囲内の構造パラメータと材料組成を変化させて,電流のゆらぎを得た。それは,計算が自己整合技術を適用せずに実行されるとき,そうではない。得られた電流の大きさが自己整合性が存在しない場合に得られた値よりも高いことが分かった。結果は,特定のシステム組成におけるピークの存在によるRTDの低バイアス応用に対して非常に重要である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共鳴 ,  シミュレーション ,  *電流 ,  ゆらぎ ,  Poisson方程式 ,  境界条件 ,  *電流密度 ,  バイアス ,  構造パラメータ ,  自己整合 ,  *共鳴トンネルダイオード
準シソーラス用語： 印加電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 共鳴トンネルダイオード ,  密度プロファイル ,  自己 ,  無撞着