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J-GLOBAL ID：201802212371877061   整理番号：18A0588575

FDSOI MOSFETにおける自己加熱の評価と冷間電流抽出【Powered by NICT】

Self-heating assessment and cold current extraction in FDSOI MOSFETs

著者 (7件)： Triantopoulos K. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Casse M. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Brunet L. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Batude P. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Fenouillet-Beranger C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Reimbold G. (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, F-38054 Cedex, Grenoble, France) ,  Ghibaudo G. (IMEP-LAHC, MINATEC 3 Parvis Louis Ne ́el, 38016 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜FDSOI MOSFETにおける熱効果,ドレイン電流に及ぼす自己加熱効果(SHE)の影響に焦点を当てての実験的研究を提示した。ゲート温度測定法を用いた熱抵抗抽出,と計算された結果の低温ドレイン電流(Id0),すなわちSHEを行った。SHEはnMOSとpMOSトランジスタ間の本質的な違いを持たない短いとより狭いデバイスではより顕著であることを示した。著者らの実験は,温度はSHEに起因するチャネルで有意に増加するが,イオン性能に及ぼすその効果は動作電圧で制限されることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  チャネル ,  薄膜 ,  熱影響 ,  トランジスタ ,  低温 ,  温度測定 ,  *電流 ,  熱抵抗
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  イオン性 ,  実験研究 ,  ドレイン電流 ,  *自己加熱 ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： FDSOI ,  MOSFET ,  自己加熱 ,  評価